- Объем: 1 модуль 4 ГБ
- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота: 2133 МГц
- Пропускная способность: 17000 МБ/с
- Поддержка ECC: нет
- Поддержка XMP: нет
- Буферизованная (Registered): нет
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
- CAS Latency (CL): 15
- RAS to CAS Delay (tRCD): 15
- Row Precharge Delay (tRP): 15
- Activate to Precharge Delay (tRAS): 36
- Напряжение питания: 1.2 В
- Тип памяти: DDR4
- Объем планки: 4096 МБ
- Частотная спецификация: 2133
- Показатель скорости: PC4-17000
- Буферизация: unbuffered
- Количество планок: 1
- Латентность: CL15 1 модуль 4 Гб Ret CMSO4GX4M1A2133C15 SODIMM 260-контактный 260-pin
Характеристики, внешний вид и комплектация товара могут быть изменены фирмой-производителем без предварительного уведомления.