Общие характеристики
Бренд | Samsung |
Основные характеристики
Время наработки на отказ | 2000000 ч |
Емкость | 7680 ГБ |
Интерфейс PCI-E | есть |
Назначение | для настольного компьютера |
Скорость записи | 4000 МБ / с |
Скорость чтения | 6700 МБ / с |
Тип PCI-E | PCI-E 3.1 x4 |
Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND |
Форм-фактор | 2.5" |
Подключение
Интерфейсы | PCI-E |
Разъем | U.2 |
Функции
Поддержка технологий | NVMe |
Дополнительно
Высота | 7 мм |
Длина | 100 мм |
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) | 200000 IOPS |
Суммарное число записываемых байтов (TBW) | 10930 ТБ |
Ударостойкость при хранении | 1500 G |
Ширина | 70 мм |
- Назначение: для настольного компьютера
- Емкость: 7680 ГБ
- Форм-фактор: 2.5"
- Скорость чтения: 6700 МБ/с
- Скорость записи: 4000 МБ/с
- Ресурс TBW: 10930 ТБ
Характеристики, внешний вид и комплектация товара могут быть изменены фирмой-производителем без предварительного уведомления.