Параметры накопителя
| Объем буфера | 2048 МБ |
| Скорость записи | 2500 МБ / с |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) | 480000 IOPS |
| Скорость чтения | 3500 МБ / с |
Ударостойкость и ресурс работы
| Время наработки на отказ | 1500000 ч |
| Суммарное число записываемых байтов (TBW) | 1200 ТБ |
| Ударостойкость при работе | 1500 G |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
Общие характеристики
| Бренд | Samsung |
| Вес | 8 г |
| Высота | 2.38 мм |
| Ширина | 22 мм |
Основные характеристики
| Емкость | 2 ТБ |
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Линейка | 970 EVO |
| Назначение | для ноутбука и настольного компьютера |
| Тип флэш-памяти | V-NAND 3-bit MLC |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
Подключение
| Интерфейсы | PCI-E |
| Разъем | M.2 |
| Тип PCI-E | PCI-E 3.0 x4 |
Функции
| Поддержка технологий | NVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ, Шифрование данных |
Дополнительно
| Длина | 80 мм |
| Макс. рабочая температура | 70 °C |
| Потребляемая мощность | 6 Вт |
- Назначение: для ноутбука и настольного компьютера
- Емкость: 2 ТБ
- Форм-фактор: M.2 2280
- Скорость чтения: 3500 МБ/с
- Скорость записи: 2500 МБ/с
- Ресурс TBW: 1200 ТБ
- Контроллер: Samsung Phoenix
- Тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4
- Потребляемая мощность: 6 Вт
- Интерфейсы: PCI-E
- Разъем: M.2
- Макс. рабочая температура: 70 °C
- Поддержка технологий: NVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ, Шифрование данных
- Время наработки на отказ: 1500000 ч
- Тип флэш-памяти: V-NAND 3-bit MLC
- Объем буфера: 2048 МБ
Характеристики, внешний вид и комплектация товара могут быть изменены фирмой-производителем без предварительного уведомления.
