Тайминги
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 24 |
CAS Latency (CL) | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
Общие характеристики
Бренд | AMD |
Основные характеристики
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем | 1 модуль 4 ГБ |
Поддержка ECC | нет |
Поддержка XMP | нет |
Пропускная способность | 10600 МБ / с |
Тактовая частота | 1333 МГц |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Дополнительно
Гарантийный срок | 730 дн. |
Количество модулей оперативной памяти | 1 модуль 4 Гб |
Напряжение питания | 1.5 В |
Срок службы | 730 дн. |
- Объем: 1 модуль 4 ГБ
- Тип памяти: DDR3
- Форм-фактор: DIMM 240-контактный
- Тактовая частота: 1333 МГц
- Пропускная способность: 10600 МБ/с
- Поддержка ECC: нет
- Поддержка XMP: нет
- Буферизованная (Registered): нет
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
- CAS Latency (CL): 9
- RAS to CAS Delay (tRCD): 9
- Row Precharge Delay (tRP): 9
- Activate to Precharge Delay (tRAS): 24
- Гарантийный срок: 730 дн.
- Срок службы: 730 дн.
- Напряжение питания: 1.5 В
- Количество модулей оперативной памяти: 1 модуль 4 Гб
- Тип памяти: DDR3
- Объем планки: 4096 МБ
- Частотная спецификация: 1333
- Показатель скорости: PC3-10600
- Буферизация: unbuffered
- Количество планок: 1
- Латентность: CL9 1 модуль 4 Гб OEM R334G1339U1S-UO DIMM 240-контактный 240-pin
Характеристики, внешний вид и комплектация товара могут быть изменены фирмой-производителем без предварительного уведомления.
Отзывы загружены с Яндекс.Маркет
Достоинства: работает
Недостатки: черный
Комментарий: норм берите
Достоинства: всё прекрасно работает
Недостатки: нет