Товар имеет гарантию производителя
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 36 |
| CAS Latency (CL) | 15 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 15 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 15 |
Общие характеристики
| Бренд | AMD |
Основные характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 16 ГБ |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 19200 МБ / с |
| Тактовая частота | 2400 |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор | DIMM 288-контактный |
Дополнительно
| Количество модулей оперативной памяти | 1 модуль 16 Гб |
| Напряжение питания | 1.2 В |
- Объем: 1 модуль 16 ГБ
- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: DIMM 288-контактный
- Тактовая частота: 2400
- Пропускная способность: 19200 МБ/с
- Поддержка ECC: нет
- Буферизованная (Registered): нет
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
- CAS Latency (CL): 15
- RAS to CAS Delay (tRCD): 15
- Row Precharge Delay (tRP): 15
- Activate to Precharge Delay (tRAS): 36
- Напряжение питания: 1.2 В
- Количество модулей оперативной памяти: 1 модуль 16 Гб
- Тип памяти: DDR4
- Объем планки: 16384 МБ
- Частотная спецификация: 2400
- Показатель скорости: PC4-19200
- Буферизация: unbuffered
- Количество планок: 1
- Латентность: CL15 1 модуль 16 Гб OEM R7416G2400U2S-UO DIMM 288-контактный 288-pin
Характеристики, внешний вид и комплектация товара могут быть изменены фирмой-производителем без предварительного уведомления.
