Тайминги
CAS Latency (CL) | 22 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 22 |
Row Precharge Delay (tRP) | 22 |
Общие характеристики
Бренд | Kingston |
Основные характеристики
Буферизованная (Registered) | нет |
Количество ранков | 1 |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем | 1 модуль 4 ГБ |
Поддержка ECC | нет |
Поддержка XMP | нет |
Пропускная способность | 25600 МБ / с |
Тактовая частота | 3200 МГц |
Тип памяти | DDR4 |
Форм-фактор | DIMM 288-контактный |
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля | 4, односторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.2 В |
- Объем: 1 модуль 4 ГБ
- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: DIMM 288-контактный
- Тактовая частота: 3200 МГц
- Пропускная способность: 25600 МБ/с
- Поддержка ECC: нет
- Поддержка XMP: нет
- Буферизованная (Registered): нет
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
- CAS Latency (CL): 22
- RAS to CAS Delay (tRCD): 22
- Row Precharge Delay (tRP): 22
- Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
- Напряжение питания: 1.2 В
- Количество ранков: 1
- Количество модулей оперативной памяти: 1 модуль 4 Гб
- Тип оперативной памяти: DDR4
- Объем модуля памяти: 4Гб
- Частота : 3200 МГц
Характеристики, внешний вид и комплектация товара могут быть изменены фирмой-производителем без предварительного уведомления.